应变GaNAlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应的综述报告

应变GaNAlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应的综述报告引言：氮化镓（GaN）是现代半导体光电领域中的一个重要材料，因其具有优异的物理和化学性质，在高功率电子器件和激光器等方面被广泛应用。而AlGa