应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究近年来，随着集成电路的快速发展和应用领域的拓宽，人们对于高性能和高可靠性的半导体器件需求日益增加。作为核心器件的场效应管也在不断地进行优化和研究