贯穿位错对铝镓氮-氮化镓光学及电子器件性能的影响

贯穿位错对铝镓氮 - 氮化镓光学及电子器件性能的影响（贯穿）位错及其表征氮化镓与其它第三主族氮化物 （如氮化铝和氮化铟） 的多元化合物，因理想的禁带带宽（ 3.4eV 及宽达 0.7-6.2eV 的