InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备

InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备查阅了很多文献，大部分都是研究（退火温度、氮成分含量、生长温度等）N的浓度。相对MOCVD，MBE的氮浓度相对比较小（这将会影响相关氮化物的缺陷