衬底温度及Gd掺杂对HfO2薄膜结构与性能的影响的开题报告

衬底温度及Gd掺杂对HfO2薄膜结构与性能的影响的开题报告1.项目背景目前，通信、电子、光电等领域中对微电子器件的需求不断增加，而高介电常数和低损耗率的薄膜材料是微电子设备中必不可少的关键材料。钇稳相