拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的Cu和Cr掺杂及石墨烯能带结构调制研究的开题报告

拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的Cu和Cr掺杂及石墨烯能带结构调制研究的开题报告一、研究背景概述随着信息技术的不断发展，人们对于快速、高精度、低能耗的计算需求也越来越高，而现有的硅基电子器件已经接近极限。