晶圆减薄及背面金属蒸镀制程的研究

摘 要该课题的开设是基于德州仪器半导体制造（成都）公司着手建立的“晶圆背面制程”项目，内容是将正常厚度为725μm的晶圆从背面研磨至100μm，然后经由背面酸碱法蚀刻后，继续在背面蒸镀金属的制程过程。