一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计[修改版]

第一篇：一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计 摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通