碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及其特性的研究

碳化砟功率UMOSFET器件结构设计及特件研究 摘 要 由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射 性等优良的性能，使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境