半导体低维结构中自旋能谷特性及其调控的实验研究的开题报告

半导体低维结构中自旋能谷特性及其调控的实验研究的开题报告一、选题背景和意义随着半导体器件制备技术不断发展，半导体结构的三维限制逐渐被打破，低维半导体结构的制备和研究成为了热点领域。在低维半导体结构中，