微电子学考试题库及答案

1、PN结电容可分为   过渡区电容   和 扩散电容 两种，它们之间的主要区别    在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多

1PN 、结电容可分为和两种，它们之间的主要区别 过渡区电容扩散电容在于扩 散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生 。 于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为 ，对于窄沟道器件对VT的影响为 。 下降上升 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响 。 应速度快等 5、PN结击穿的机制主要有 等几种，其中发生雪崩击穿的条 雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿 V>6E/q 件为 。 Bg 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有 沟道长度调制 效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲 线。 答案：见最后附件