氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究

氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究摘要：通过对C及C-Si射频溅射共沉积层中氘的滞留行为进行研究，分析了其滞留规律及影响因素。实验结果表明