锑化物半导体材料与器件应用研究进展

锑化物半导体材料与器件应用研究进展刘超，曾一平(中国科学院 半导体研究所材料科学中心，北100083) 摘要：窄禁带半导体材料近年来被国际上公认为第三代代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵