变K DT LDMOS结构的设计与研究的开题报告

变K DT LDMOS结构的设计与研究的开题报告一、选题背景随着微电子技术的发展,功率场效应晶体管(Power MOSFET)已成为大功率电子设备的关键部件之一,其中DT(Double Trench)

腾讯文库变K变K DT LDMOS结构的设计与研究的开题报告