离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究

离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究离子注入技术是当前半导体行业研究的热点之一，其通过将离子注入到硅片中，改变硅片的导电性和控制pn结的形成，使得半导体器件的性能得到提高。然而，在实际应用过程中，