SI衬底上制备增强型ZNO薄膜晶体管

SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管 全部作者： 张新安 张景文 侯洵

SiO2/SiZnO 衬底上制备增强型薄膜晶体管 全部作者： 张新安张景文侯洵 1 第作者单位： 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室 论文摘要： NH3O2L-MBESiO2/p-Si 在和的混合气氛下，采用激光分子束外延法（）在 ZnOXRDZnO 衬底上制备氮掺杂薄膜，分析表明薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质 C00021.89° 量和高度的轴择优取向性，（）面摇摆曲线的半峰宽仅为；并在此基础上制备 ZnOSiO2 了以氮掺杂薄膜为沟道层、以为绝缘层的底栅式薄膜晶体管，电学测试表明该晶 N5.15V104 体管工作在沟道增强模式，阈值电压为，电流开关比为，电子的场迁移率达到 2.66cm2/V•S 。 关键词： ZnO() 薄膜；激光分子束外延；薄膜晶体管；迁移率浏览全文 发表日期： 20070115 年月日 同行评议： ZnOSiO2TFT1 以氮掺杂为沟道材料，为栅介质的具有定 创新性。修改内容： 13 （）图的图注下标有误； 2“AFM”“” （）结论中涉及和表面形貌，但正文中无相关内容。