基于改进型正切空间距离测度的光刻热点聚类方法实现的任务书
基于改进型正切空间距离测度的光刻热点聚类方法实现的任务书一、课题背景光刻是一种重要的半导体制造技术,其过程中会产生热点,即局部温度过高的区域。热点的产生可能会导致晶圆表面结构变形、材料熔化、光刻图形形