电力电子技术期末考试题 答案

.1.IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET 。2.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电