荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究的开题报告

荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究的开题报告题目：荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究一、选题背景和意义 荷能重离子辐照是一种常见的材料辐射实验手段，在半导体器件