用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究的中期报告

用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究的中期报告中期报告：用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究研究背景氮化镓(GaN)薄膜以其具有的高热稳定性和较高的电子迁移率在半导体器件中