应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究

应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究标题：堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究摘要：堆叠纳米线MOS器件是一种新型的纳米尺度集成电路结构，具有高度集成、低功耗和高性能等优势。然而，由于其