锗基外延InAsGaAs量子点激光器的光学噪声特性研究的开题报告

锗基外延InAsGaAs量子点激光器的光学噪声特性研究的开题报告一、选题背景及意义锗基外延技术是近年来发展起来的一种半导体材料生长技术。锗基外延技术可以在锗基底材料表面上外延生长出砷化镓 (GaAs)