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ESD培训资料 随着微电子工业制造技术的飞速发展，集成电路的集成度不断提高，采用 0.1 5~0.25m m制造工艺的CMOS和GaAs（砷化镓）器件被广泛使用，其耐击穿电压下限通常只有50V~100