单晶硅缺陷的分析

单晶硅缺陷的分析原作者: 钟丽菲摘要：晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘