考虑源漏电场的准二维MOSFET阈值电压模型

摘要 半导体技术的迅速发展，给各行各业带来了巨大的变化，极大地提高了劳动 生产力和人们的生活质量。于此同时也给半导体和集成电路本身带来了严峻的挑 战，即它的产品飞速的更新换代，种类繁多，因此需要研究者