共溅法Mg掺杂氮化镓纳米结构的制备与研究的中期报告

共溅法Mg掺杂氮化镓纳米结构的制备与研究的中期报告中期报告：共溅法Mg掺杂氮化镓纳米结构的制备与研究1. 研究背景和意义氮化镓是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优良的物理性质和应用前景。近年来，人们对