基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究

基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究摘要本文研究了基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS器件，主要介绍器件的结构、工作原理及优点，分析了其在高压电力电子领域中的应用前景。通过实验验证