GaAs基共振隧穿压阻式声传感器研究的中期报告

GaAs基共振隧穿压阻式声传感器研究的中期报告本次中期报告主要介绍了GaAs基共振隧穿压阻式声传感器的研究进展情况。以下是主要内容：1. 研究背景和意义声传感器在工业、医学、安防等领域得到了广泛应用。

GaAs 基共振隧穿压阻式声传感器研究的中期报告 GaAs 本次中期报告主要介绍了基共振隧穿压阻式声传感器的研究进 展情况。以下是主要内容： 1. 研究背景和意义 声传感器在工业、医学、安防等领域得到了广泛应用。而压阻式声 传感器作为一种常用的声传感器，其灵敏度和频率响应范围受到很大限 GaAs 制。因此，本研究采用基共振隧穿结构作为新型压阻式声传感器的 敏感元件，以获得更高的灵敏度和频率响应范围。 2. 实验设计 GaAsMCVD 本实验采用了磷化基底和金属化学气相沉积（）工艺进 GaAs 行隧穿结的制备。同时，引入压电陶瓷片作为声波接收器。最后将 隧穿结和陶瓷片组装成共振隧穿压阻式声传感器。 3. 进展情况 GaAsMCVD 目前已完成基底的磷化和工艺的制备。同时，成功制 GaAs 备了隧穿结和压电陶瓷片，并进行了初步测试。测试结果表明，隧 穿结的电导率随着受力变化而发生了明显变化，证明了隧穿结的压阻特 性。同时，在共振频率附近出现了明显的电阻变化，证明了隧穿结和陶 瓷片共振的特性。这为进一步优化声传感器的灵敏度和频率响应范围提 供了实验基础。 4. 下一步工作 下一步工作将进一步优化隧穿结和陶瓷片的制备工艺，以提高声传 感器的灵敏度和频率响应范围。同时，还将进行详细的电学和声学测 试，以评估共振隧穿压阻式声传感器的性能。