半导体物理学课后习题第五章第六章答案

半导体物理学课后习题第五章第六章答案 第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 已知：?p?10求：U?