宽禁带半导体小论文

宽禁带半导体材料的研究进展和应用前景引言：使用硅器件的传统集成电路大都只能工作在250弋以下， 不能满足高温、高功率以及高频等要求。目前人们已经将注意力转移 到宽禁带半导体材料上。本文着重介绍了 Si