GaN和SiC一维纳米结构物性的原子尺度模拟的开题报告

GaN和SiC一维纳米结构物性的原子尺度模拟的开题报告一、选题背景GaN和SiC是当前应用十分广泛的半导体材料，其性能优异。纳米结构化能够进一步优化其性能，例如提高载流子迁移率、降低电阻等。因此，对于