纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究的综述报告

纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究的综述报告纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究的综述报告随着集成电路技术的不断发展，尺寸越来越小的器件引起了对电子束或极紫外光刻技术的需求，同时也对材料和工艺的要求越来越高

Ta 纳米基阻挡层的制备及性能研究的综述报告 Ta 纳米基阻挡层的制备及性能研究的综述报告 随着集成电路技术的不断发展，尺寸越来越小的器件引起了对电子 束或极紫外光刻技术的需求，同时也对材料和工艺的要求越来越高。开 Ta 发新型纳米材料作为阻挡层是制备集成电路的重要途径之一。是一种 优良的阻挡材料，其具有高的融点、稳定性和可靠性，成为了制备阻挡 Ta 层的优良材料之一。近年来，纳米基阻挡层的研究越来越受到关注， 本文就此进行综述。 一、制备方法 Ta 纳米基阻挡层的制备方法主要分为物理气相沉积和化学气相沉积 两种。物理气相沉积包括磁控溅射和电子束蒸发等方法，这些方法具有 高加工效率、对样品表面去污效果好等优点。但是这些方法的缺点是易 产生气体污染和机械应力，对材料质量和膜的致密性会产生一定的负面 影响。化学气相沉积主要的方法是化学气相沉积和金属有机分解 MOCVD （）方法。这些方法具有高纯度、致密度和均匀性等优点，但是 需要较高的反应温度和气压，操作较为复杂。 二、性能研究 Ta 纳米基阻挡层的性能研究主要是对其厚度、物理和化学性质、热 稳定性、电学性能、机械性能等进行探究。 1. 厚度 Ta 研究表明，随着纳米基阻挡层的厚度的减小，其电学性能和热稳 Ta 定性变得更加优良。但是太薄的纳米基阻挡层也会导致不良的形态和 机械性能。 2. 物理和化学性质 Ta 纳米基阻挡层具有较高的抗氧化性和防腐蚀性。同时纳米级结构