基于微拉曼光谱技术的SiC JBS二极管失效机理研究的任务书

基于微拉曼光谱技术的SiC JBS二极管失效机理研究的任务书任务书1. 研究背景随着电子技术的不断发展,高功率、高频率和高温度电子器件的需求越来越大。硅碳化物(SiC)半导体材料因其具有较高的热稳定性

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