面向三维多栅器件的高K介质与金属栅工艺研究的任务书

面向三维多栅器件的高K介质与金属栅工艺研究的任务书一、研究背景随着半导体制造技术不断发展，芯片尺寸不断缩小，栅氧化物的厚度也变得更薄，以满足高性能和节能的需求。然而，这种发展对于栅氧化物的可靠性提出了