半导体技术

水陷阱+离子污染在氧化物外表吸附；高温时集中至氧化物和si 界面；在电场作用下电离并形成消弱电场的场，但随时间延长而被“中和”。虽然蠕变可以恢复，但是仍旧属于废品HTRB 后漏电流过大的缘由有 2 大