GaN SiHEMT的电学特性测试和可靠性测

GaN/Si HEMT的电学特性测试和可靠性测试摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应管的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为