基于200V SOI-BCD工艺的LDMOS的设计与优化的开题报告

基于200V SOI-BCD工艺的LDMOS的设计与优化的开题报告一、研究背景及意义随着半导体技术的飞速发展，尤其是集成电路技术的快速发展，半导体器件和集成电路的制造工艺也得到了极大的提升。其中，基于