纳米工艺下CMOS集成电路抗辐射加固锁存器设计的开题报告

纳米工艺下CMOS集成电路抗辐射加固锁存器设计的开题报告题目：纳米工艺下CMOS集成电路抗辐射加固锁存器设计一、选题的背景和意义：随着电子技术的不断发展，CMOS集成电路已经成为了大规模集成电路的主要