基于AlN和GaN形核层的AlGaNGaN HEMT外延材料和器件对比

基于AlN和GaN形核层的AlGaNGaN HEMT外延材料和器件对比近年来，III族氮化物材料因其较高的载流子迁移率、较宽的带隙和良好的热稳定性而在微电子器件领域备受关注。其中，AlGaN/GaN