氮氢等离子体处理对SiC MOS栅氧化层可靠性的影响

氮氢等离子体处理对SiC MOS栅氧化层可靠性的影响氮氢等离子体处理对SiC MOS栅氧化层可靠性的影响摘要SiC（碳化硅）作为一种新型的半导体材料，具有优异的电学特性和热性能，在高功率、高温环境下具