部分耗尽SOI器件总剂量辐射效应及其背栅加固技术研究

部分耗尽SOI器件总剂量辐射效应及其背栅加固技术研究随着微电子技术的不断发展，在行业中出现了许多新的器件和技术。其中，SOI器件作为一种先进的半导体器件，以其优异的特性得到了广泛应用。然而，SOI器件