第4章IC工艺之离子注入

- 第四章：离子注入技术 - 问题的提出：短沟道的形成？GaAs等化合物半导体？（低温掺杂）低表面浓度？浅结？纵向均匀分布或可控分布？大面积均匀掺杂？高纯或多离子掺杂？