硅工艺-《集成电路制造技术》课程-试题

一、填空题晶圆制备用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。单晶硅生长常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单

一、填空题 晶圆制备 1． 用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。 2． 单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3． 晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4． 晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5． 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。 6． CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的 固体硅锭。 7． CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数 是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8． 晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9． 制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。 氧化 10． 二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11． 热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12． 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13． 用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气 系统和（温控系统）。 14． 选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI）。 15． 列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16． 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17． 硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要 为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18． 卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。 淀积 19． 目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。 20． 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 21． 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学 气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22． 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之， 膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23． 化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来 向反应系统提供附加的能量。 金属化 24． 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25． 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前 期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26． 集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27． 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、