GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究的中期报告

GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究的中期报告摘要：高居里温度稀磁半导体材料具有在高温下仍然表现出稀磁性和半导体特性的特点，能够在磁电子器件中发挥重要的作用。本研究选取了GaN作为基底材料，并