高κ叠栅AlGaNGaN MOS-HEMT特性研究的开题报告

高κ叠栅AlGaNGaN MOS-HEMT特性研究的开题报告一、选题背景和意义随着5G通信和物联网的迅速发展，对于高功率、高频率、高可靠性、低噪声的射频功率放大器有着越来越高的要求。 由于MOS-HE