Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析

Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析一、引言肖特基源漏场效应晶体管(SCFET)是一种具有超高速度、最低电流延迟时间和极低功耗的半导体器件。本文将讨论SCFET的制备和特性分析。二、SCFE