沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究随着微电子技术的发展，半导体器件在各个领域都得到了广泛的应用。然而，随着器件尺寸的缩小，面临的问题也越来越多。其中之一就是器件的负偏压