肖特基接触与欧姆接触

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欧姆接触 I-V curve - 是设备上具有线性并且对称的（） 半导体电流电压特性曲线 - 的区域。如果电流电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做接触。 肖特基 理论 ：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级 的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料 相接触的时候直到费米能级平衡；从而低 电子会从低功函数的的一端流向另一端 功函数的材料带有少量正电荷，高功涵的材料带有少量负电荷，最终得到的静电 势称为内建场。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 欧姆接触 ， 是指金属与半导体的接触而其接触面的电阻值远小于半导体本 (Activeregion) ，， 身的电阻使得组件操作时大部分的电压降在活动区而不 。 在接触面 ，： 欲形成好的欧姆接触有二个先决条件 1(BarrierHeight) （） 金属与半导体间有低的势垒高度 使界面电流中 (ThermionicEmission) 热激发部分增加 2(N10EXP12cm-3) （）≧ 半导体有高浓度的杂质掺入 使半导体耗 (Tunneling)Rc ，，。 尽区变窄电子有更多的机会直接穿透而同时使阻值降低 (EnergyCap)( ， 若半导体不是硅晶而是其它能量间隙较大的半导体如 GaAs)() ，， 则较难形成欧姆接触无适当的金属可用必须于半导体表面掺 Metal-n-norMetal-p+-p ，＋。 杂高浓度杂质形成等结构 肖特基接触 ， 是指金属和半导体材料相接触的时候在界面处半导体的能 ，。。 带弯曲形成肖特基势垒势垒的存在才导致了大的界面电阻与之对应 ，。 的是欧姆接触界面处势垒非常小或者是没有接触势垒 理论： 当半导体与金属接触的时候由于半导体的电子逸出功一般比金属小，电子 就从半导体流入了金属，在半导体的表面层形成一个带正电不可移动的杂质离子 组成的空间电荷区域。电场方向由半导体指向金属，阻止电子继续向金属中扩散。 界面处半导体能带发生了弯曲，想成一个高势能区，这就是肖特基势垒。 肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。