第三代半导体材料：国产替代核心赛道

第三代半导体材料：国产替代核心赛道半导体材料作为产业发展的基础，经历了数代的更迭， 以碳化硅(Sic)及氮化线(GaN)为代表的第三代半导 体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐 射等特性，