用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究

用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究氢化物气相外延(HVPE)法是一种比较常用的半导体材料制备方法，适用于制备氮化铟薄膜。该方法利用氢气和氨气在高温下反应，通过对外延衬底表面进行氢